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半導體器件芯片剪切強度試驗

健明迪檢測提供的半導體器件芯片剪切強度試驗,試驗標準 GB/T4937.1-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分:總則 GB/T4937.19-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第19部分:芯片,具有CMA,CNAS資質。
半導體器件芯片剪切強度試驗
試驗標準
GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分:總則
GB/T 4937.19-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第19部分:芯片剪切強度
IEC 60749-19:2010半導體器件機械和氣候試驗方法 第 19部分: 芯片剪切強度
試驗背景
半導體器件芯片剪切強度試驗目的是確定將半導體芯片安裝在管座或其他基板上所使用的材料和工藝步驟的完整性,適用于空腔封裝,也可作為過程監測,不適用于面積大于10 mm2的芯片,以及倒裝芯片和易彎曲基板。
健明迪檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備,具備芯片剪切強度試驗能力,為半導體器件、設備提供專業的芯片剪切強度試驗服務。
半導體器件芯片剪切強度試驗機構
健明迪檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備,具備芯片剪切強度試驗能力,為半導體器件、設備提供專業的芯片剪切強度試驗服務。
試驗方式
采用規定設備,對芯片施加足以使其從安裝面上剪切下來的應力或對芯片施加規定的最低剪切強度兩倍的應力,取較小者。
脫離類別如下:
a)芯片被剪切時仍殘留芯片材料;
b)芯片與附著材料脫離;
c) 芯片與芯片附著材料從管座脫離。
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