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半導體器件快速溫度變化試驗

健明迪檢測提供的半導體器件快速溫度變化試驗,試驗標準 GB/T4937.1-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分:總則 GB/T4937.11-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第11部分:快速,具有CMA,CNAS資質(zhì)。
半導體器件快速溫度變化試驗
試驗標準
GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分:總則
GB/T 4937.11-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第11部分:快速溫度變化 雙液槽法
IEC 60749-11 :2002 半導體器件機械和氣候試驗方法 第11 部分:快速溫度變化 雙液槽法
試驗背景
半導體器件快速溫度變化試驗目的是測試產(chǎn)品反復承受溫度極值的耐受力。溫度劇烈變化可能會導致半導體器件:裝配點或焊接點松動或脫落、使材料本身開裂、電子元器件性能發(fā)生變化、密封件失效造成泄漏。
健明迪檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備,具備快速溫度變化試驗能力,為半導體器件、設備提供專業(yè)的快速溫度變化試驗服務。
半導體器件快速溫度變化試驗機構
健明迪檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備,具備快速溫度變化試驗能力,為半導體器件、設備提供專業(yè)的快速溫度變化試驗服務。
試驗方式
樣品應放于液槽中的合適位置,使液體在樣品中間及周圍的流動不受到阻礙。然后根據(jù)規(guī)定,使負載按規(guī)定的試驗條件進行15次循環(huán)(對于模擬清洗應進行10次循環(huán))。
為了進行器件批的加載或去載,或由于電源或設備故障,允許中斷試驗。然而,對任何給定的試驗,若中斷次數(shù)超過規(guī)定循環(huán)總次數(shù)的10% ,試驗應重新開始。
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