GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分：總則
GB/T 4937.2-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第2部分：低氣壓
IEC 60068-2-13環(huán)境試驗第2 部分：試驗M：低氣壓

半導體器件低氣壓試驗目的是測定元器件和材料避免電擊穿失效的能力，而這種失效是由于氣壓減小時，空氣和其他絕緣材料的絕緣強度減弱所造成的。半導體器件低氣壓試驗僅適用于工作電壓超過1 000 V的器件。
健明迪檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設(shè)備，具備低氣壓試驗能力，為半導體器件、設(shè)備提供專業(yè)的低氣壓試驗服務(wù)。

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樣品應按規(guī)定放置在密封室內(nèi)，并按規(guī)定把氣壓減小到某個試驗條件。把樣品保持在規(guī)定的氣壓下，對它們進行規(guī)定的試驗。 在試驗期間及試驗前的20 min內(nèi)，試驗溫度應為25C±10C。
對器件施加規(guī)定的電壓，在從常壓到規(guī)定的最低氣壓并恢復到常壓的整個過程中監(jiān)測器件是否出現(xiàn)故障。